1、高頻低阻電解電容器的基本要求
①、適應(yīng)小型化發(fā)展,必須是小型化
②、適應(yīng)高頻化的發(fā)展,必須盡可能提高f0,改善高頻特性,除了降低tanδ外,主要是降低ESL
③、為提高濾波效果,應(yīng)盡可能降低Z或ESR.也有利降低溫升,發(fā)熱功率P= I~2ESR,提高耐紋波能力
2、低壓高頻低阻電解電容器
①、小型化
為小型化應(yīng)選擇高比容箔,但高比容必然增加箔電阻,不利于降ESR,應(yīng)取兩者之平衡,在尺寸允許情況下,可選低一點的比容箔。為解決這方面的矛盾,特意研究了高頻低阻抗專用箔,特點是高比容低損耗,即在追求高比容的同時,盡可能降低箔電阻。
在腐蝕技術(shù)及化成技術(shù)兩方面都下功夫。腐蝕技術(shù)主要追求在高倍率腐蝕的同時盡可能不提高箔電阻,形狀大小有利于腐蝕表面的有效利用。
化成技術(shù)主要是提高腐蝕表面的有效利用率,提高氧化膜質(zhì)量,特別是耐壓系數(shù)(單位電壓所需氧化膜的厚度),如果單位電壓所需氧化膜厚度降低,就意味著電容量的上升。除非特殊需要(大波紋,長壽命,高溫)一般不提高箔的耐壓要求。
②、高頻化
為提高f0,這里主要討論降低ESL應(yīng)采取的措施。
高頻低阻電解電容器電感主要由引線條及芯子電感組成
引線引條電感對引線式電容器,選擇粗短的引線有利于降電感,對于蓋板式電容器引條電感與引條的長、寬、厚有關(guān),也與引線根數(shù)有關(guān)。
一條引條的電感b、a、t分別為引線條長、寬、厚。
多根引條的電感n為引條根數(shù),K1引條間的電感系數(shù)
引條長,電感大,引條短,電感小。引線根數(shù)多電感降低